【单选题】字位结构为 1M × 4 位的 DRAM 存储芯片,其地址引脚与数据引脚之和为( )
【单选题】字位结构为256K x 4位SRAM存储芯片,其地址引脚与数据引脚之和为( )。
【单选题】字位结构为1M×4位DRAM存储芯片,其地址引脚与数据引脚之和为()。
【单选题】下列对张拉控制应力的描述,不正确的是( )。
A.
张拉控制应力是预应力钢筋在构件受荷以前所经受的最大应力
B.
张 拉控制应力取值越高,预应力钢筋对混凝土的预压作用越大,因此张拉控制应力的取值越高越好
C.
张拉控制应力取值过高,会使构件开裂荷载与破坏荷载很接近
D.
要求部分抵消预应力损失,张拉控制应力可以适当提高
【单选题】设计预应力混凝土构件时( )
B.
控制应力适当,张拉钢筋满足抗裂度要求就可以了
D.
除了适当的预应力钢筋外,还应适当配一些非预应力钢筋
【单选题】对于嵌入式处理器内核的分类,以下说法正确的是()。