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【判断题】
框架梁第一跨的下部纵筋的做法是伸到进行弯锚;而悬挑端的下部钢筋是插入柱内直锚即可。
A.
正确
B.
错误
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参考答案：
举一反三
【判断题】芯样垂直度的标准是芯样端面与轴线垂直度偏差90度±2度为合格。垂直度用游标量角器测量两个端面与母线的夹角。
A.
正确
B.
错误
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【简答题】水平层理是反映 1 沉积环境;平行层理是反映 2 沉积环境;块状层理层内物质均匀、组分和结构上 3 、不具纹层构造;递变层理,层内无纹层,从底部至顶部粒度 4 ;韵律层理在成分、结构(如粒度)、颜色等 5 的薄层(毫米级或厘米级)有规律的重复出现所组成的层理。 从“高能、低能、无差异、显著差异、逐渐变化、不同、相同” 中选择恰当的恰当词语填空 。
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【单选题】有关卵巢周期变化的描述 不正确 的是
A.
卵泡发育过程中分泌雌激素
B.
排卵后7～8天黄体发育达到高峰
C.
如卵子未受精，黄体于排卵后14天萎缩变成白体
D.
黄体平均寿命14天，黄体衰退，月经来潮
E.
黄体细胞分泌雌、孕激素
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【单选题】“CMOS 电路 ” 的含义是( )。
A.
PMOS 管与 NMOS 管组成的互补电路
B.
二极管 - 三极管逻辑门电路
C.
三极管 - 场效应管逻辑门电路
D.
二极管 - 二极管逻辑门电路
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【单选题】“ CMOS 电路 ” 的 含义是:
A.
PMOS 管与 NMOS 管组成的互补电路
B.
三极管 - 场效应管逻辑门电路
C.
二极管 - 三极管逻辑门电路
D.
二极管 - 二极管逻辑门电路
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【简答题】在底部(词组)____
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【多选题】有关卵巢的描述正确的是 ( )
A.
从青春期开始产生次级卵母细胞
B.
每个月经周期排出 5 — 10 个卵
C.
可受到胎盘激素的影响
D.
对于周期性的子宫活动是必需的
E.
是女性的主要生殖器官
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【单选题】下面描述不正确的是：
A.
CMOS 电路静态功耗极低，在微型计算机、自动化仪表等方面得到了广泛应用。
B.
CMOS 电路特点：低电平： 0V ；高电平： 3.6V（电源为5V电源）。
C.
OC门 为 集电极开路的门电路。
D.
TTL的含义为 晶体管—晶体管逻辑电路。
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【单选题】关于卵巢的功能描述不正确的是
A.
卵巢的生殖功能指卵巢能够产生卵子
B.
卵巢的内分泌功能指卵巢能分泌雌激素、孕激素、少量雄激素
C.
排卵前雌激素正反馈出现LH高峰，LH峰对排卵至关重要
D.
女性一般一个月经周期只有一个卵泡发育成熟并排卵，一生约排出400-500个
E.
排卵的过程只是把卵泡的卵母细胞排出，其余细胞均留在卵巢组织中
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【单选题】英文 CMOS Settings Wrong的含义是:
A.
CMOS电路损坏
B.
CMOS中的设置错误
C.
CMOS中的信息错误
D.
CMOS电池供电不足
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【判断题】芯样垂直度的标准是芯样端面与轴线垂直度偏差90度±2度为合格。垂直度用游标量角器测量两个端面与母线的夹角。
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正确
B.
错误
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【单选题】有关卵巢周期变化的描述 不正确 的是
A.
卵泡发育过程中分泌雌激素
B.
排卵后7～8天黄体发育达到高峰
C.
如卵子未受精，黄体于排卵后14天萎缩变成白体
D.
黄体平均寿命14天，黄体衰退，月经来潮
E.
黄体细胞分泌雌、孕激素
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【单选题】“CMOS 电路 ” 的含义是( )。
A.
PMOS 管与 NMOS 管组成的互补电路
B.
二极管 - 三极管逻辑门电路
C.
三极管 - 场效应管逻辑门电路
D.
二极管 - 二极管逻辑门电路
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【单选题】“ CMOS 电路 ” 的 含义是:
A.
PMOS 管与 NMOS 管组成的互补电路
B.
三极管 - 场效应管逻辑门电路
C.
二极管 - 三极管逻辑门电路
D.
二极管 - 二极管逻辑门电路
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【多选题】有关卵巢的描述正确的是 ( )
A.
从青春期开始产生次级卵母细胞
B.
每个月经周期排出 5 — 10 个卵
C.
可受到胎盘激素的影响
D.
对于周期性的子宫活动是必需的
E.
是女性的主要生殖器官
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【单选题】下面描述不正确的是：
A.
CMOS 电路静态功耗极低，在微型计算机、自动化仪表等方面得到了广泛应用。
B.
CMOS 电路特点：低电平： 0V ；高电平： 3.6V（电源为5V电源）。
C.
OC门 为 集电极开路的门电路。
D.
TTL的含义为 晶体管—晶体管逻辑电路。
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【单选题】关于卵巢的功能描述不正确的是
A.
卵巢的生殖功能指卵巢能够产生卵子
B.
卵巢的内分泌功能指卵巢能分泌雌激素、孕激素、少量雄激素
C.
排卵前雌激素正反馈出现LH高峰，LH峰对排卵至关重要
D.
女性一般一个月经周期只有一个卵泡发育成熟并排卵，一生约排出400-500个
E.
排卵的过程只是把卵泡的卵母细胞排出，其余细胞均留在卵巢组织中
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【单选题】英文 CMOS Settings Wrong的含义是:
A.
CMOS电路损坏
B.
CMOS中的设置错误
C.
CMOS中的信息错误
D.
CMOS电池供电不足
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