300K 半导体导带底有效态密度1×10 19 cm -3 ,价带顶有效态密度5.6×10 19 cm -3 ,禁带宽度0.67eV(300K),0.76eV(77K): 计算电子和空穴状态密度有效质量。 计算77K时的本征载流子浓度及本征半导体能级位置。 在该半导体中掺入施主杂 质 1.3×10 18 cm -3 ,E C -E D =0.05eV,计算77K时的能级位置以及导带电子浓度。 如果施主杂质的掺杂浓度为10 16 cm -3 ,计算300K时的能级位置以及价带空穴浓度。 如果同时掺有施主杂质10 12 cm -3 和受主杂质5 ×10 11 cm -3 ,分别计算0K300K时的能级位置。