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参考答案：
举一反三
【单选题】串联电路中,各电阻两端的电压之和等于电路总电压,可知每个电阻上的电压小于电路总电压,故( )。
A.
串联电路处处不等
B.
串联电路处处相等
C.
串联电阻分流
D.
串联电阻分压
查看完整题目与答案
【多选题】下列构成法律责任竞合的情形是
A.
方某因无医师资格开设诊所被卫生局没收非法所得，并被法院以非法行医罪判处三年有期徒刑。
B.
王某通话时，其手机爆炸导致右耳失聪，可选择以侵权或违约为由追究手机制造商法律责任。
C.
林某因故意伤害罪被追究刑事责任和民事责任
D.
戴某用10万元假币购买一块劳力士手表，其行为同时触犯诈骗罪与使用假币罪。
查看完整题目与答案
【单选题】某患者,右上中争牙金属烤瓷冠修复后。检查:金属烤瓷冠颜色、形态良好,不松动,颈部边缘探针可探入,邻拉点牙线可以勉强通过,正中合时右下 1切端咬在金属烤瓷冠的瓷面上,此冠为
A.
邻接过紧
B.
邻接过松
C.
金瓷结合区设计不当
D.
边缘不密合
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【单选题】A2某患者，右上中争牙金属烤瓷冠修复后。检查：金属烤瓷冠颜色、形态良好，不松动，颈部边缘探针可探入，邻拉点牙线可以勉强通过，正中合时右下1切端咬在金属烤瓷冠的瓷面上，此冠为
A.
合格修复体
B.
邻接过紧
C.
邻接过松
D.
金瓷结合区设计不当
E.
边缘不密合
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【单选题】报告期水平与某一固定基期水平之比的指标是( )
A.
环比发展速度
B.
定基发展速度
C.
环比增长速度
D.
定基增长速度
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【单选题】报告期水平与某一固定时期水平之比的指标是(    )。
A.
逐期增长量  
B.
累计增长量  
C.
环比发展速度    
D.
定基发展速度
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【单选题】Ch4 报告期水平与某一固定时期水平之比的指标是
A.
逐期增长量
B.
计增长量
C.
环比发展速度
D.
定基发展速度
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【判断题】驰名商标必须经权威机构予以确认，但无需向社会公众进行公告。
A.
正确
B.
错误
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【判断题】串联电路两端总电压等于各分段电阻上电压之和。()
A.
正确
B.
错误
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【单选题】串联电路中总电压等于各个电阻上分电压之()
A.
和
B.
积
C.
差
D.
倒数之和的倒数
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串联电路处处不等
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串联电路处处相等
C.
串联电阻分流
D.
串联电阻分压
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A.
方某因无医师资格开设诊所被卫生局没收非法所得，并被法院以非法行医罪判处三年有期徒刑。
B.
王某通话时，其手机爆炸导致右耳失聪，可选择以侵权或违约为由追究手机制造商法律责任。
C.
林某因故意伤害罪被追究刑事责任和民事责任
D.
戴某用10万元假币购买一块劳力士手表，其行为同时触犯诈骗罪与使用假币罪。
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【单选题】某患者,右上中争牙金属烤瓷冠修复后。检查:金属烤瓷冠颜色、形态良好,不松动,颈部边缘探针可探入,邻拉点牙线可以勉强通过,正中合时右下 1切端咬在金属烤瓷冠的瓷面上,此冠为
A.
邻接过紧
B.
邻接过松
C.
金瓷结合区设计不当
D.
边缘不密合
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【单选题】A2某患者，右上中争牙金属烤瓷冠修复后。检查：金属烤瓷冠颜色、形态良好，不松动，颈部边缘探针可探入，邻拉点牙线可以勉强通过，正中合时右下1切端咬在金属烤瓷冠的瓷面上，此冠为
A.
合格修复体
B.
邻接过紧
C.
邻接过松
D.
金瓷结合区设计不当
E.
边缘不密合
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【单选题】报告期水平与某一固定基期水平之比的指标是( )
A.
环比发展速度
B.
定基发展速度
C.
环比增长速度
D.
定基增长速度
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【单选题】报告期水平与某一固定时期水平之比的指标是(    )。
A.
逐期增长量  
B.
累计增长量  
C.
环比发展速度    
D.
定基发展速度
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A.
逐期增长量
B.
计增长量
C.
环比发展速度
D.
定基发展速度
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【判断题】驰名商标必须经权威机构予以确认，但无需向社会公众进行公告。
A.
正确
B.
错误
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【判断题】串联电路两端总电压等于各分段电阻上电压之和。()
A.
正确
B.
错误
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【单选题】串联电路中总电压等于各个电阻上分电压之()
A.
和
B.
积
C.
差
D.
倒数之和的倒数
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