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【判断题】
“怎么帮助小明克服胆怯心理?”是一个很好的科研选题。
A.
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B.
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举一反三
【单选题】已知图示电路中晶体管【图片】＝100，rbe＝3.3k【图片】。该放大电路的中频电压放大倍数【图片】约为____（A、50， B、100， C、200）；下限截止频率fL约为____Hz。（A、1， B、10， C、100）；当Ui＝7mV，f=fL时，Uo约为 ____V（A、0.1， B、0.7， C、1， D、1.4）。【图片】
A.
CBD
B.
ACC
C.
CAC
D.
CBC
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【判断题】贴图赋予时,可以使用Bi tmapParameters卷展栏中的Cropping/Placement区域的参数选取位图的某个区域进行贴
A.
正确
B.
错误
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【单选题】在 Activity 的生命周期中,当它从可见状态转向半透明状态时,它的哪个方法必须被调用?
A.
onStop （）
B.
onStart （）
C.
onPause （）
D.
onRestart （）
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【判断题】截平面平行于圆柱的轴线截切时,和圆柱面的截交线为两条素线
A.
正确
B.
错误
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【简答题】已知图示电路中晶体管 β ≈ 100 ,估算该电路的电压放大倍数约为 ____ ( A 、 0.1 , B 、 1 , C 、 100 , D 、 200 )输入电阻约为 ____ ( A 、 1k Ω , B 、 2k Ω , C 、 100k Ω , D 、 200k Ω )。
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【判断题】截平面平行于圆柱的轴线截切时,和圆柱面的截交线为两条素线。
A.
正确
B.
错误
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【判断题】贴图赋予时,可以使用Bitmap Parametera卷展栏中的Cropping/Placement区域的参数选区位图的某个区域进行贴图( )
A.
正确
B.
错误
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【单选题】已知图示电路中晶体管【图片】＝100，rbe＝3.3k【图片】。该放大电路的中频电压放大倍数【图片】约为____（A、50， B、100， C、200）；下限截止频率fL约为____Hz。（A、1， B、10， C、100）；当Ui＝7mV，f=fL时，Uo约为 ____V（A、0.1， B、0.7， C、1， D、1.4）。【图片】
A.
CBC
B.
ABC
C.
ABA
D.
ACB
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【多选题】在受扭圆轴内取一个微元立方体,该微元体 A 面位于横截面上, B 面位于与圆柱外表面同轴的圆柱面上, C 面则位于过轴线的纵截面上.同时该微元体不在轴线上. 、 、 面则分别与 A 、 B 、 C 面相对.受扭前微元体可视为正立方体.关于这个立方体,正确的结论有( )。
A.
只有 A 和 面变为平行四边形
B.
只有 B 和 面变为平行四边形
C.
只有 C 和 面变为平行四边形
D.
只有 A 和 面没有切应力
E.
只有 B 和 面没有切应力
F.
只有 C 和 面没有切应力
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【单选题】已知图示电路中晶体管的【图片】，要求电路有尽可能大的线性工作范围。1．当【图片】时，【图片】应选____【图片】。A、1k， B、5.1k， C、10k，D、100k2．当【图片】时，【图片】应选____【图片】。A、100k，B、200k，C、390k， D、1M【图片】
A.
AB
B.
BC
C.
CD
D.
AD
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【单选题】已知图示电路中晶体管【图片】＝100，rbe＝3.3k【图片】。该放大电路的中频电压放大倍数【图片】约为____（A、50， B、100， C、200）；下限截止频率fL约为____Hz。（A、1， B、10， C、100）；当Ui＝7mV，f=fL时，Uo约为 ____V（A、0.1， B、0.7， C、1， D、1.4）。【图片】
A.
CBD
B.
ACC
C.
CAC
D.
CBC
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【判断题】贴图赋予时,可以使用Bi tmapParameters卷展栏中的Cropping/Placement区域的参数选取位图的某个区域进行贴
A.
正确
B.
错误
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【单选题】在 Activity 的生命周期中,当它从可见状态转向半透明状态时,它的哪个方法必须被调用?
A.
onStop （）
B.
onStart （）
C.
onPause （）
D.
onRestart （）
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【判断题】截平面平行于圆柱的轴线截切时,和圆柱面的截交线为两条素线
A.
正确
B.
错误
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【简答题】已知图示电路中晶体管 β ≈ 100 ,估算该电路的电压放大倍数约为 ____ ( A 、 0.1 , B 、 1 , C 、 100 , D 、 200 )输入电阻约为 ____ ( A 、 1k Ω , B 、 2k Ω , C 、 100k Ω , D 、 200k Ω )。
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【判断题】截平面平行于圆柱的轴线截切时,和圆柱面的截交线为两条素线。
A.
正确
B.
错误
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【判断题】贴图赋予时,可以使用Bitmap Parametera卷展栏中的Cropping/Placement区域的参数选区位图的某个区域进行贴图( )
A.
正确
B.
错误
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【单选题】已知图示电路中晶体管【图片】＝100，rbe＝3.3k【图片】。该放大电路的中频电压放大倍数【图片】约为____（A、50， B、100， C、200）；下限截止频率fL约为____Hz。（A、1， B、10， C、100）；当Ui＝7mV，f=fL时，Uo约为 ____V（A、0.1， B、0.7， C、1， D、1.4）。【图片】
A.
CBC
B.
ABC
C.
ABA
D.
ACB
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【多选题】在受扭圆轴内取一个微元立方体,该微元体 A 面位于横截面上, B 面位于与圆柱外表面同轴的圆柱面上, C 面则位于过轴线的纵截面上.同时该微元体不在轴线上. 、 、 面则分别与 A 、 B 、 C 面相对.受扭前微元体可视为正立方体.关于这个立方体,正确的结论有( )。
A.
只有 A 和 面变为平行四边形
B.
只有 B 和 面变为平行四边形
C.
只有 C 和 面变为平行四边形
D.
只有 A 和 面没有切应力
E.
只有 B 和 面没有切应力
F.
只有 C 和 面没有切应力
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【单选题】已知图示电路中晶体管的【图片】，要求电路有尽可能大的线性工作范围。1．当【图片】时，【图片】应选____【图片】。A、1k， B、5.1k， C、10k，D、100k2．当【图片】时，【图片】应选____【图片】。A、100k，B、200k，C、390k， D、1M【图片】
A.
AB
B.
BC
C.
CD
D.
AD
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