【单选题】全国啦啦操各类比赛时,比赛场地划线区域是()
【单选题】配置在投影方向上的移出断面,可省略( )的标注。
【简答题】单相逆变器一般有三种结构形式: 推挽式,_______,__________.
【单选题】相对于传统的头脑风暴法、试错法等创新方法, TRIZ 理论具有鲜明的特点和优势。以下描述不正确的是:
A.
TRIZ 的技术系统进化理论和最终理想解( IFR )理论,可以有效地帮助 设计人员在问题解决之初,首先确定“解”的位置,然后利用 TRIZ 的各种理论和工具去实现这个“解”;
B.
它成功地揭示了创造发明的内在规律和原理,着力于认定和强调系统中 存在的矛盾,而不是逃避矛盾;
C.
它是基于技术的发展演化规律来研究整个设计与开发过程的,而不再是 随机的行为。
【单选题】配置在投影方向上的移出剖面,可省略()的标注。
【单选题】相对于传统的头脑风暴法、试错法等创新方法,TRIZ理论具有鲜明的特点和优势。以下描述不正确的是()。
A.
TRIZ的技术系统进化理论和最终理想解理论,可以有效地帮助设计人员在问题解决之初,首先确定“解”的位置,然后利用TRIZ的各种理论和工具去实现这个“解”
B.
它成功地揭示了创造发明的内在规律和原理,着力于认定和强调系统中存在的矛盾,而不是逃避矛盾
C.
它是基于技术的发展演化规律来研究整个设计与开发过程的,而不再是随机的行为
【单选题】相对于传统的头脑风暴法、试错法等创新方法,TRIZ理论具有鲜明的特点和优势。以下描述不正确的是
A.
TRIZ的技术系统进化理论和最终理想解(IFR)理论,可以有效地帮助设计人员在问题解决之初,首先确定“解”的位置,然后利用TRIZ的各种理论和工具去实现这个“解“
B.
它成功地揭示了创造发明的内在规律和原理,着力于认定和强调系统中存在的矛盾,而不是逃避矛盾
C.
它是基于技术的发展演化规律来研究整个设计与开发过程的,而不再是随机行为
【判断题】制作一硅晶体管芯片,在最后用热氧化方法制备了一层 SiO 2 作为保护层。
【单选题】配置在投影方向上的移出断面,可省略( )的标注。
【判断题】当移出剖面配置在剖切位置的延长线上,且剖面图形对称,则可不标注;移出剖面也可以配置在图纸的其他适当位置,这时应标注,若剖面图形对称,则可省略投影方向线。