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【单选题】
在开发“中美俄”案例项目过程中,有关整体架构的说法,错误的是哪项?
A.
整个项目开发了5个包
B.
整个项目开发了12个界面类
C.
整个项目按照剧情的不同选项设计了4个包
D.
项目的关键分支结构声明在类mainparts.USAChoices的
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参考答案:
举一反三
【单选题】在焊接结构中,焊缝及其附近区域的纵向残余应力为( )。
A.
拉应力
B.
压应力
C.
拉应力和压应力
D.
温度应力
【单选题】在焊接结构中,焊缝及其附近区域的纵向残余应力为( )。
A.
拉应力
B.
压应力
C.
拉应力和压应力
【单选题】近缝区的纵向残余应力为( )
A.
拉应力
B.
压应力
【单选题】在焊接结构中,焊缝及其附近区域的纵向残余应力通常为( )。
A.
拉应力
B.
压应力
C.
拉应力和压应力
D.
温度应力
【简答题】T型梁、工字梁和箱型梁纵向残余应力的分布情况为:一般情况下,焊缝及其附近 区域中总是存在____,而在腹板的中部则会产生____。
【单选题】一应变片电阻R=120Ω,K=2.05,用作应变为800μm/m的传感元件。 则△R约为( )
A.
2.2Ω
B.
1.2Ω
C.
0.02Ω
D.
0.2Ω
【单选题】一应变片的电阻 R=120Ω, k=2.05。用作应变为800μm/m的传感元件。 则△R约为 Ω
A.
0.4
B.
0.3
C.
0.2
D.
0.1
【单选题】一应变片的电阻R=120Ω, k=2.05。用作应变为800μm/m的传感元件。则△R为( )
A.
2.1968欧
B.
1.1968欧
C.
0.1968欧
【单选题】一应变片的电阻 R=120Ω, k=2.05。用作应变为800μm/m的传感元件。 则△R约为
A.
2.2 欧
B.
1.2 欧
C.
0.2 欧
D.
0.02 欧
【简答题】在焊接结构中,焊缝及其附近区域的纵向残余应力为 。
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