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【单选题】
受弯构件设计时,当x>xb时,( )
A.
提高钢筋级别
B.
提高钢筋用量
C.
采用双筋梁
D.
增加箍筋用量
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参考答案:
举一反三
【单选题】以下关于半导体能带特征描述正确的是()
A.
室温下,硅的禁带宽度约为1.12eV,是直接带隙半导体
B.
室温下,锗的禁带宽度约为0.67eV,是直接带隙半导体
C.
室温下,砷化镓的禁带宽度约为1.12eV,是直接带隙半导体
D.
室温下,硅的禁带宽度约为1.12eV,是间接带隙半导体
【判断题】硅是间接带隙半导体材料、GaAs和CdTe均是直接带隙材料
A.
正确
B.
错误
【判断题】硅是一种间接带隙半导体,而锗是一种直接带隙半导体。
A.
正确
B.
错误
【单选题】检查家畜脉搏的常用部位为股动脉的是()。
A.
B.
C.
D.
【单选题】猪的脉搏检查的部位为:
A.
颌外动脉
B.
尾中动脉
C.
后肢股动脉
D.
尾中静脉
【单选题】为评估针对青少年沉湎网络的干预项目,研究者挑选了两个社区分别作为实验组和控制组。两个社区的青少年沉湎网络的比例相同,其他方面也较接近。对实验组的社区青少年每月进行一次有关网络负面作用的讲座,控制组则无上述安排。半年后,实验组和控制组的该指标分别为10%和18%,可以认为干预是有效的。请判断,上述实验设计方法属于( )。
A.
非对等控制组设计
B.
前后测控制组设计
C.
简单时间序列设计
D.
多组时间序列设计
E.
单后测控制组设计
【判断题】半导体砷化镓属于化合物半导体,与硅和锗不同的是,砷化镓为直接带隙半导体。
A.
正确
B.
错误
【多选题】关于元素半导体硅和锗的能带结构特征,以下说法错误的是:
A.
锗的价带结构与硅的相似,都存在极大值相重合的2个价带,外能带为重空穴带,内能带为轻空穴带。
B.
锗的导带极小值点位置与硅的不同,锗的位于<111>方向的布里渊区边界上,硅的位于<100>方向且不在边界上。
C.
硅的导带底在简约布里渊区中有6个旋转椭球等能面,锗的导带底在简约布里渊区里有8个旋转椭球等能面。
D.
硅和锗的导带底和价带顶都在k空间的不同k值处,因此都是直接带隙半导体材料。
【判断题】硅是直接带隙半导体。
A.
正确
B.
错误
【判断题】当某球队组成人员被取消比赛资格,他不再是球队成员也不再是球队席人员。因此,他不能再因额外的违反体育运动精神的行为被处罚( )。
A.
正确
B.
错误
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