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【多选题】
护岸护滩工程的规划与布局原则为______。
A.
在进行护岸工程设计之前,应对上下游沟道情况进行调查研究,分析在修建护岸_T程之后,下游或对岸是否会发生新的冲刷,确保沟道安全
B.
为减少水流冲毁基础,护岸工程应大致按地形设置,并力求不形成急剧的弯曲。此外,还应注意将护岸工程的上游及下游部分与基岩、护基工程及已有的护岸工程连接,以免在护岸工程的上下游发生冲刷
C.
护岸工程的设计高度,一方面要保证山洪不致漫过护岸工程,另一方面应考虑护岸工程背后有无崩塌可能。如有崩塌可能,则应预留出堆积崩塌砂石的余地,即使护岸工程离开崩塌处有一定的距离并有足够的高度,如不能满足高度的要求,可沿岸坡修建斜坡的横墙,以防止背后侵蚀及坡面的崩塌
D.
在弯道段凹岸水位较凸岸水位高,因此凹岸护岸工程的高度应更高一些
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参考答案:
举一反三
【判断题】她不配做这项工作。 She is unequal to do the job. ()
A.
正确
B.
错误
【简答题】在杂质半导体中多子的数量与 有关。
【单选题】DSS和MIS的处理对象依次是()。
A.
半结构化管理问题、结构化管理问题
B.
结构化管理问题、非结构化管理问题
C.
非结构化管理问题、半结构化管理问题
D.
结构化管理问题、结构化管理问题
【单选题】If three unequal capacitors, initially uncharged, are connected in series across a battery, which of the following statements is TRUE?
A.
The largest voltage appears across the smallest capacitance.
B.
The capacitor with the largest capacitance has the greatest charge.
C.
The equivalent capacitance is greater than any of the individual capacitances.
D.
None of the others is true.
【单选题】在杂质半导体中多子的数量与 有关
A.
掺杂浓度
B.
温度
C.
材料
D.
纯度
【简答题】在杂质半导体中多子的数量与 有关。
【单选题】在杂质半导体中多子的数量与 有关。
A.
掺杂浓度
B.
温度
【单选题】()是MIS成熟的重要标志,它象征着MIS是软件工程的产物。
A.
可以对信息进行管理
B.
可以实现辅助决策
C.
具有统一规划的数据库
D.
以上都不是
【单选题】【C10】
A.
unacceptable
B.
unreachable
C.
unpractical
D.
unequal
【单选题】MIS的对象是
A.
数据库
B.
数据处理
C.
信息
D.
计算机技术
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