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【单选题】
在电场中有a、b两点,在下属情况中b点电势较高的是
A.
正电荷由a移到b时，外力克服电场力做正功
B.
正电荷由a移到b时，电场力做正功
C.
负电荷由a移到b时，外力克服电场力做正功
D.
负电荷由a移到b时，电场力做负功。
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参考答案：
举一反三
【单选题】当工作频率升高时，哪一种损耗称为电力电子器件功率损耗的主要因素
A.
开关损耗
B.
通态损耗
C.
断态损耗
D.
开通损耗
查看完整题目与答案
【单选题】如图所示，测R 2 两端电压发现U 2 =U，产生该现象的原因是（）。
A.
R 1 断路
B.
R 2 断路
C.
R 1 短路
D.
R 2 短路
查看完整题目与答案
【单选题】如图 16 所示 ,测 R 2 两端电压发现 U 2 = U ,产生该现象的原因可能是 [ ] 。
A.
R 1 短路
B.
R 2 短路
C.
R 1 断路
D.
R 2 断路
查看完整题目与答案
【单选题】患儿接受胰岛素治疗后最可能发生的并发症是
A.
低尿钠排泄症
B.
低血糖
C.
出血倾向增加
D.
胰腺炎
E.
重症髙血压
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【多选题】炎症时血管通透性增高是由于
A.
内皮细胞间连接缝隙增大
B.
内皮细胞的变性坏死
C.
内皮细胞吞饮增加
D.
基底膜受损
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【单选题】在进程的状态转换中,( )变化一般不可能发生。
A.
执行--就绪
B.
阻塞--执行
C.
阻塞--就绪
D.
就绪--执行
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【单选题】如图所示,测R2两端电压发现U2=U,产生该现象的原因较全面的解释是( )。
A.
R1断路
B.
R1短路
C.
R1短路或R2断路
D.
R2短路
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【多选题】炎症时血管通透性增高是由于
A.
内皮细胞间缝隙增大
B.
内皮细胞的变性坏死
C.
内皮细胞吞饮增加
D.
基底膜受损
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【多选题】炎症时血管通透性增高是由于( )(1994年)
A.
内皮细胞间连接缝隙增大
B.
内皮细胞的变性坏死
C.
内皮细胞吞饮增加
D.
新生毛细血管增加
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【判断题】炎症时血管壁通透性增高,主要是由于致炎因子对血管内皮的损伤。
A.
正确
B.
错误
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【单选题】当工作频率升高时，哪一种损耗称为电力电子器件功率损耗的主要因素
A.
开关损耗
B.
通态损耗
C.
断态损耗
D.
开通损耗
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【单选题】如图所示，测R 2 两端电压发现U 2 =U，产生该现象的原因是（）。
A.
R 1 断路
B.
R 2 断路
C.
R 1 短路
D.
R 2 短路
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【单选题】如图 16 所示 ,测 R 2 两端电压发现 U 2 = U ,产生该现象的原因可能是 [ ] 。
A.
R 1 短路
B.
R 2 短路
C.
R 1 断路
D.
R 2 断路
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【单选题】患儿接受胰岛素治疗后最可能发生的并发症是
A.
低尿钠排泄症
B.
低血糖
C.
出血倾向增加
D.
胰腺炎
E.
重症髙血压
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【多选题】炎症时血管通透性增高是由于
A.
内皮细胞间连接缝隙增大
B.
内皮细胞的变性坏死
C.
内皮细胞吞饮增加
D.
基底膜受损
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【单选题】在进程的状态转换中,( )变化一般不可能发生。
A.
执行--就绪
B.
阻塞--执行
C.
阻塞--就绪
D.
就绪--执行
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【单选题】如图所示,测R2两端电压发现U2=U,产生该现象的原因较全面的解释是( )。
A.
R1断路
B.
R1短路
C.
R1短路或R2断路
D.
R2短路
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【多选题】炎症时血管通透性增高是由于
A.
内皮细胞间缝隙增大
B.
内皮细胞的变性坏死
C.
内皮细胞吞饮增加
D.
基底膜受损
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【多选题】炎症时血管通透性增高是由于( )(1994年)
A.
内皮细胞间连接缝隙增大
B.
内皮细胞的变性坏死
C.
内皮细胞吞饮增加
D.
新生毛细血管增加
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【判断题】炎症时血管壁通透性增高,主要是由于致炎因子对血管内皮的损伤。
A.
正确
B.
错误
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