【简答题】在常温下,硅二极管的死区电压约为 V ,导通后在较大电流下的正向压降约为 V ;锗二极管的死区电压约为 V ,导通后在较大电流下的正向压降约为 V 。
【多选题】在常温下,硅二极管的死区电压约为 V,导通后在较大电流下的正向压降约为 V,锗二极管的死区电压约为 V,导通后在较大电流下的正向压降约为 V。
【简答题】在常温下,硅二极管的死区电压约为 V,导通后正向压降约为 V ;锗二极管的死区电压约为 V,导通后正向压降约为 V。
【简答题】在常温下,硅二极管的死区电压约为 V,导通正向压降约为 V;锗二极管的死区电压约为 V,导通后的正向压降约为 V。
【简答题】在常温下,硅二极管的死区电压约为 0.5V ,导通后正向压降约为 0.6 ~ 0.8V ;锗二极管的死区电压约为 0.1V ,导通后正向压降约为 。