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【单选题】
可以进行化学抛光的是?
A.
PLA
B.
ABS
C.
TPP
D.
SLS
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参考答案:
举一反三
【多选题】G75指令:G75 R(e);G75 X(U)_ Z(W)_ P(△i) Q(△k) R(△d) F_;如果( )省略,则可实现在X向进行切断加工。
A.
X(U)
B.
Z(W)
C.
P(△i)
D.
Q(△k)
【判断题】DoS攻击不但能使目标主机停止服务,还能入侵系统,打开后门,得到想要的资料
A.
正确
B.
错误
【单选题】在G75 X (U) Z(W) R(i) P(K)Q(Δd) 程序格式中,( )表示螺纹终点的增量值。
A.
X、U Z、W
B.
U、W
C.
Z、W
D.
R
【判断题】微孔滤膜法:适合于含重金属2-5μg或有色溶液的药物的重金属检查。
A.
正确
B.
错误
【判断题】DOS 攻击不但能使目标主机停止服务,还能入侵系统,打开后门,得到想要的资料
A.
正确
B.
错误
【单选题】在G75 X (U) Z(W) R(i) P(K)Q(Δd) 程序格式中,( )表示螺纹终点的坐标值。
A.
X、U
B.
X、Z
C.
Z、W
D.
R
【单选题】当样本量n和合格判定数A一定时,批量N对OC曲线的影响表现为( )。
A.
N越大,OC 曲线越靠近原点,抽样方案越严格
B.
N越小,OC 曲线越靠近原点,抽样方案越宽松
C.
N相当大时,批量N对OC曲线的影响变得越大
D.
N越小,OC 曲线越靠近原点,抽样方案越严格
【单选题】在G75 X(U)  Z(W)  R(i) P(K)Q(△d)程序格式中,(    )表示锥螺纹始点与终点的半径差。
A.
X、U    
B.
i    
C.
Z、W
D.
R
【单选题】在G75 X(U) Z(W) R(i) P(K) Q(Δd)程序格式中,( )表示第一刀的背吃刀量。
A.
K
B.
Δd
C.
Z
D.
R
【单选题】在G75 X (U) Z(W) R(i) P(K)Q(Δd) 程序格式中,( )
A.
螺纹终点的增量值。
B.
X、U
C.
U、W
D.
Z、W
E.
R
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