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【单选题】
干线子系统垂直通道穿过楼板时宜采用电缆竖井方式,电缆竖井的位置应( )。
A.
左右对齐
B.
上下对齐
C.
任意都可以
D.
怎么美观,怎么设置
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参考答案:
举一反三
【单选题】电路如图8所示,假设运算放大器是理想的,则图(a)Av = vO/vI = ,Ri = ;图(b)Av=vO/vI = ,Ri = 。【图片】
A.
图( a ) A v =11 , R i =1 kΩ ;图( b ) A v = 1 ; R i =1 kΩ
B.
图( a ) A v = - 10 , R i =1 kΩ ;图( b ) A v = 1 ; R i =1 kΩ
C.
图( a ) A v = 11 , R i =1 kΩ ;图( b ) A v = 1 ; R i = ∞
D.
图( a ) A v = - 10 , R i =1 kΩ ;图( b ) A v = 1 ; R i = ∞
【简答题】某种牧草体内形成氰的途径为:前体物质一产氰糖苷一氰。基因A控制前体物质生成产氰糖苷,基因B控制产氰糖苷生成氰。表现型与基因型之间的对应关系如下表:表现型有氰有产氰糖苷、无氰无产氰糖苷、无氰基因型A_B_(A和B同时存在)A_bb(A存在,B不存在)aaB_或aabb(A不存在) (1)在有氰牧草(AABB)后代中出现的突变型个体(AAbb)因缺乏相应的酶而表现无氰性状,如果基因b与B的转录产物之间...
【单选题】电路如图 8 所示,假设运算放大器是理想的,则图( a ) = , R i = ;图( b ) = , R i = 。
A.
图( a ) A v = 11 , R i =1 kΩ ;图( b ) A v = 1 ; R i = ∞
B.
图( a ) A v = - 10 , R i =1 kΩ ;图( b ) A v = 1 ; R i =1 kΩ
C.
图( a ) A v = - 10 , R i =1 kΩ ;图( b ) A v = 1 ; R i = ∞
D.
图( a ) A v =11 , R i =1 kΩ ;图( b ) A v = 1 ; R i =1 kΩ
【多选题】脑卒中的表现正确的是
A.
说话含糊不清
B.
头晕、眩晕、恶心
C.
一侧肢体活动障碍
D.
有感觉障碍
E.
口角歪斜
【简答题】普通小麦中有高杆抗病(TTRR)和矮杆易感病(ttrr)两个品种,控制两对相对性状的基因分别位于两对同源染色体上。实验小组利用不同的方法进行了如下三组实验,请分析回答: (1)A组由F 1 获得F 2 的方法是_________,F 2 矮杆抗病植株中不能稳定遗传的占___________。 (2)Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ三类矮杆抗病植株中,最可能产生不育配子的是________类。 (3)A、B、C三组方法中...
【简答题】回答下列有关遗传和变异的问题。 (1)人类遗传病中:多基因遗传病由于易受环境影响,所以一般不表现典型的_________性状分离比例;不携带遗传病基因的个体会患的遗传病是__________。采取____________措施,可估计遗传病的再发风险率并提出预防措施。 (2)刺毛鼠(2n=16)有背上有刺和无刺、体浅灰色和沙色两对相对性状。一只浅灰色无刺雄鼠基因型为BbX a Y(基因独立遗传),为...
【单选题】电路如图 8 所示,假设运算放大器是理想的,则图( a ) A v = v O / v I = , R i = ;图( b ) A v = v O/ v I = , R i = 。
A.
图( a ) A v = 11 , R i =1 kΩ ;图( b ) A v = 1 ; R i = ∞
B.
图( a ) A v = - 10 , R i =1 kΩ ;图( b ) A v = 1 ; R i =1 kΩ
C.
图( a ) A v = - 10 , R i =1 kΩ ;图( b ) A v = 1 ; R i = ∞
D.
图( a ) A v =11 , R i =1 kΩ ;图( b ) A v = 1 ; R i =1 kΩ
【单选题】电路如图8所示,假设运算放大器是理想的,则图(a)Av= vO/vI = ,Ri = ;图(b)Av = vO/vI = ,Ri = 。
A.
图(a)Av =11,Ri =1 kΩ; 图(b)Av=1;Ri =1 kΩ
B.
图(a)Av = -10,Ri =1kΩ;图(b)Av=1;Ri =∞
C.
图(a)Av = 11,Ri =1 kΩ;图(b)Av=1;Ri =∞
D.
图(a)Av = -10,Ri =1 kΩ;图(b)Av=1;Ri =1 kΩ
【单选题】电路如图 8 所示,假设运算放大器是理想的,则图( a ) A v = v O / v I = , R i = ;图( b ) A v = v O / v I = , R i = 。
A.
图( a ) A v = 11 , R i =1 kΩ ;图( b ) A v = 1 ; R i = ∞
B.
图( a ) A v = - 10 , R i =1 kΩ ;图( b ) A v = 1 ; R i = ∞
C.
图( a ) A v =11 , R i =1 kΩ ;图( b ) A v = 1 ; R i =1 kΩ
D.
图( a ) A v = - 10 , R i =1 kΩ ;图( b ) A v = 1 ; R i =1 kΩ
【多选题】斯金纳的强化理论中,可以运用的强化类型有
A.
正强化
B.
负强化
C.
惩罚
D.
自然消退
E.
正视
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