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【简答题】
下图中的继电器在1.(通电/断电) 状态下,(本题1、2、6、7空不允许互斥,3、4、5与8、9、10可对应互斥) 在1.(通电/断电) 状态下, 用万用表 2. 档位测量:3. 正常:4. Ω,异常:5. Ω 在6.(通电/断电) 状态下, 用万用表7. 档位测量:8. 正常:9. Ω,异常:10. Ω
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参考答案：
举一反三
【简答题】分析下图热流道注射模，回答以下问题： （1）写出图示模具件16、件18件19等3个零件的名称和作用。 （2）指出图中模具是一模几腔模具？
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【单选题】对于有抗震设防的高层框架结构及框架—剪力墙结构,其抗侧力结构布置要求,下列说法正确的是:[ ]
A.
应设计为双向抗侧力体系，主体结构不应采用铰接
B.
应设计为双向抗侧力体系，，主体结构可部分采用铰接
C.
纵、横向均应设计成刚结抗侧力体系
D.
横向应设计成刚结抗侧力体系，纵向可以采用铰接
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【单选题】框架-剪力墙结构布置不正确的是( )?
A.
在抗震设防区进行结构布置时，宜使框架-剪力墙结构在各个主轴方向上的侧向刚度数值相接近
B.
在每个主轴方向上的剪力墙片数，只需按抵抗侧向力的要求即可确定
C.
由于剪力墙是框架剪力墙结构中的主要抗侧力构件，因此在各个主轴方向上，均需设置剪力墙
D.
宜将各主轴方向上设置的剪力墙相互整体连接，组成T形、L形、I形或围成筒体
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【单选题】框架-剪力墙结构布置( )不正确?
A.
宜将各主轴方向上设置的剪力墙相互整体连接，组成T形、L形、I形或围成筒体
B.
在每个主轴方向上的剪力墙片数，只需按抵抗侧向力的要求即可确定
C.
在抗震设防区进行结构布置时，宜使框架-剪力墙结构在各个主轴方向上的侧向刚度数值相接近
D.
由于剪力墙是框架剪力墙结构中的主要抗侧力构件，因此在各个主轴方向上，均需设置剪力墙
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【单选题】X线与物质相互作用不产生电离过程的是
A.
相干散射
B.
光电效应
C.
康普顿效应
D.
电子对效应
E.
光核反应
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【判断题】在框架-剪力墙结构中,框架与剪力墙协同工作共同抵抗水平荷载,其中剪力墙是结构的主要抗侧力构件。
A.
正确
B.
错误
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【单选题】X线与物质的作用中，不产生电离的过程是
A.
相干散射
B.
光电效应
C.
康普顿效应
D.
电子对效应
E.
光核反应
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【单选题】X线与物质的作用中，不产生电离过程的是
A.
相干散射
B.
光电效应
C.
康普顿效应
D.
电子对效应
E.
光核反应
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【单选题】对于有抗震设防的高层框架结构及框架-剪力墙结构,其抗侧力结构布量要求,下列何项是正确的?
A.
应设计为双向抗侧力体系，主体结构除个别部位外不应采用铰接
B.
应设计成双向抗侧力体系，主体结构可部分采用铰接
C.
纵、横向均宜设计成刚接抗侧力体系
D.
一方向必须刚接，另一方向可个别部位铰接
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【单选题】光电效应 是X光子与( ) 的作用过程,其实质是物质吸收 X 线使其产生电离 的过程。
A.
原子最外层电子
B.
原子内层电子
C.
原子核
D.
原子核外电子
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【简答题】分析下图热流道注射模，回答以下问题： （1）写出图示模具件16、件18件19等3个零件的名称和作用。 （2）指出图中模具是一模几腔模具？
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【单选题】对于有抗震设防的高层框架结构及框架—剪力墙结构,其抗侧力结构布置要求,下列说法正确的是:[ ]
A.
应设计为双向抗侧力体系，主体结构不应采用铰接
B.
应设计为双向抗侧力体系，，主体结构可部分采用铰接
C.
纵、横向均应设计成刚结抗侧力体系
D.
横向应设计成刚结抗侧力体系，纵向可以采用铰接
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【单选题】框架-剪力墙结构布置不正确的是( )?
A.
在抗震设防区进行结构布置时，宜使框架-剪力墙结构在各个主轴方向上的侧向刚度数值相接近
B.
在每个主轴方向上的剪力墙片数，只需按抵抗侧向力的要求即可确定
C.
由于剪力墙是框架剪力墙结构中的主要抗侧力构件，因此在各个主轴方向上，均需设置剪力墙
D.
宜将各主轴方向上设置的剪力墙相互整体连接，组成T形、L形、I形或围成筒体
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【单选题】框架-剪力墙结构布置( )不正确?
A.
宜将各主轴方向上设置的剪力墙相互整体连接，组成T形、L形、I形或围成筒体
B.
在每个主轴方向上的剪力墙片数，只需按抵抗侧向力的要求即可确定
C.
在抗震设防区进行结构布置时，宜使框架-剪力墙结构在各个主轴方向上的侧向刚度数值相接近
D.
由于剪力墙是框架剪力墙结构中的主要抗侧力构件，因此在各个主轴方向上，均需设置剪力墙
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【单选题】X线与物质相互作用不产生电离过程的是
A.
相干散射
B.
光电效应
C.
康普顿效应
D.
电子对效应
E.
光核反应
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【判断题】在框架-剪力墙结构中,框架与剪力墙协同工作共同抵抗水平荷载,其中剪力墙是结构的主要抗侧力构件。
A.
正确
B.
错误
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【单选题】X线与物质的作用中，不产生电离的过程是
A.
相干散射
B.
光电效应
C.
康普顿效应
D.
电子对效应
E.
光核反应
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【单选题】X线与物质的作用中，不产生电离过程的是
A.
相干散射
B.
光电效应
C.
康普顿效应
D.
电子对效应
E.
光核反应
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【单选题】对于有抗震设防的高层框架结构及框架-剪力墙结构,其抗侧力结构布量要求,下列何项是正确的?
A.
应设计为双向抗侧力体系，主体结构除个别部位外不应采用铰接
B.
应设计成双向抗侧力体系，主体结构可部分采用铰接
C.
纵、横向均宜设计成刚接抗侧力体系
D.
一方向必须刚接，另一方向可个别部位铰接
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【单选题】光电效应 是X光子与( ) 的作用过程,其实质是物质吸收 X 线使其产生电离 的过程。
A.
原子最外层电子
B.
原子内层电子
C.
原子核
D.
原子核外电子
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