实验二习题 1、 NMOS 直流工作点仿真 1) 偏置电压设置: Vgs= ; Vds= ; 2) NMOS 沟道尺寸设置: Wnmos= ; Lnmos= ; 3) 直流工作点仿真结果: Igs= ; Ids= ; Vt= ; NMOS 工作在 工作区域; 4 )在衬底和源极之间添加电压源 Vsb=200 mV ,观察 Igs= ; Ids= ; Vt= ; NMOS 工作在 工作区域; 5 )修改 Vgs 使 NMOS 工作在截止区,此时 Vgs 可选的电压范围为: ; 2 、 NMOS 直流扫描仿真 1 )在直流仿真下设置扫描参数为电压 Vds ,扫描电压范围为 到 ;扫描步长为 ;仿真输出 Ids 为纵坐标、 Vds 为横坐标的波形曲线;观察 Vds 对 Ids 的影响; 2 )在上述步骤的基础上,采用 Tool 菜单下的 Parametric Analysis 工具,设置 Vgs 为第二个扫描变量,扫描电压范围为 到 ;扫描步长为 ;仿真输出 Ids 为纵坐标、 Vds 为横坐标、 Vgs 为第二变量的波形曲线;观察 Vgs 对 Ids 的影响;画出 NMOS 的三个工作区域的范围; 3 )修改第二扫描变量为 NMOS 的栅极宽度,变量名称为 Wnmos; 扫描宽度范围为 到 ;扫描步长为 ;仿真输出仿真输出 Ids 为纵坐标、 Vds 为横坐标、 Vgs 为第二变量的波形曲线;观察 Wnmos 对 Ids 的影响;试用理论分析这一现象; 4 )采用 session 菜单保存仿真设置。 3 、 PMOS 直流工作点仿真 4) 偏置电压设置: Vgs= ; Vds= ; 5) PMOS 沟道尺寸设置: Wpmos= ; Lpmos= ; 6) 直流工作点仿真结果: Igs= ; Ids= ; Vt= ; PMOS 工作在 工作区域; 4 )在衬底和源极之间添加电压源 Vbs=200 mV ,观察 Igs= ; Ids= ; Vt= ; PMOS 工作在 工作区域; 5 )修改 Vgs 使 PMOS 工作在截止区,此时 Vgs 可选的电压范围为: ; 4 、 PMOS 直流扫描仿真 1 )在直流仿真下设置扫描参数为电压 Vds ,扫描电压范围为 到 ;扫描步长为 ;仿真输出 Ids 为纵坐标、 Vds 为横坐标的波形曲线;观察 Vds 对 Ids 的影响; 2 )在上述步骤的基础上,采用 Tool 菜单下的 Parametric Analysis 工具,设置 Vgs 为第二个扫描变量,扫描电压范围为 到 ;扫描步长为 ;仿真输出 Ids 为纵坐标、 Vds 为横坐标、 Vgs 为第二变量的波形曲线;观察 Vgs 对 Ids 的影响;画出 PMOS 的三个工作区域的范围; 3 )修改第二扫描变量为 PMOS 的栅极宽度,变量名称为 Wpmos; 扫描宽度范围为 到 ;扫描步长为 ;仿真输出仿真输出 Ids 为纵坐标、 Vds 为横坐标、 Vgs 为第二变量的波形曲线;观察 Wpmos 对 Ids 的影响;试用理论分析这一现象; 4 )采用 session 菜单保存仿真设置。