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【多选题】
衡量网络性能的主要标准是()
A.
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B.
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C.
延迟
D.
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参考答案：
举一反三
【单选题】血管紧张素II受体阻断剂是
A.
氯沙坦
B.
卡托普利
C.
哌唑嗪
D.
普萘洛尔
E.
硝苯地平
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【单选题】BJT与FET管的输出电阻为（）
A.
均很大
B.
均很小
C.
BJT管很大，FET管较小
D.
BJT管很小，FET管较大
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【单选题】下列症状中,与真热假寒证无关的( )
A.
胸腹灼热
B.
口臭息粗
C.
渴喜热饮
D.
小便短黄
E.
四肢厥冷
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【多选题】按照《导游领队引导文明旅游规范》的规定,在旅游团游览过程中,导游领队正确的做法是
A.
游览区域对旅游者着装有要求的,导游领队应在进入时向旅游者说明
B.
在参观博物馆、教堂等室内场所时,导游领队应提示旅游者保持安静,不随意触摸展品
C.
导游领队应提醒旅游者摄影摄像时先后有序,不妨碍他人
D.
需拍摄他人肖像或与他人合影,应征得同意
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【简答题】按照《导游领队引导文明旅游规范》的规定，在旅游团游览过程中，导游领队正确的做法 有 （ ） 。A. 游览区域对旅游者着装有要求的，导游领队应在进入时向旅游者说明B. 在参观博物馆、教堂等室内场所时，导游领队应提示旅游者保持安静，不随意触摸展品C. 导游领队应提醒旅游者摄影摄像时先后有序，不妨碍他人D. 需拍摄他人肖像或与他人合影，应征得同意E. 将文明旅游的内容融合在讲解词中，进行提醒和告知
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【判断题】增强型FET不能采用自给偏置电路。(    )
A.
正确
B.
错误
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【单选题】下列症状中，与真热假寒证无关的（）
A.
胸腹灼热
B.
口臭息粗
C.
渴喜热饮
D.
渴喜热饮
E.
四肢厥冷
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【多选题】下列关于BJT和FET的描述正确的是（ ）。
A.
BJT 能用在高频环境， FET 不可以；
B.
BJT 为双极型器件， FET 为单极型器件；
C.
BJT 为流控器件， FET 为压控器件；
D.
BJT 和 FET 不可同时使用；
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【多选题】下面对FET混合π小信号模型描述正确的是（）。
A.
用于分析工作在饱和区的 FET 器件；
B.
用于分析 FET 器件对交流信号的响应；
C.
用于分析工作在任何工作区的 FET 器件；
D.
用于分析 FET 器件对直流信号的响应；
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【单选题】在温度特性方面,BJT与FET相比有:
A.
BJT与FET受温度影响都比较大
B.
BJT与FET受温度影响都比较小
C.
BJT受温度影响大，FET受温度影响很小
D.
BJT受温度影响很小，FET受温度影响大
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相关题目：
【单选题】血管紧张素II受体阻断剂是
A.
氯沙坦
B.
卡托普利
C.
哌唑嗪
D.
普萘洛尔
E.
硝苯地平
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【单选题】BJT与FET管的输出电阻为（）
A.
均很大
B.
均很小
C.
BJT管很大，FET管较小
D.
BJT管很小，FET管较大
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【单选题】下列症状中,与真热假寒证无关的( )
A.
胸腹灼热
B.
口臭息粗
C.
渴喜热饮
D.
小便短黄
E.
四肢厥冷
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【多选题】按照《导游领队引导文明旅游规范》的规定,在旅游团游览过程中,导游领队正确的做法是
A.
游览区域对旅游者着装有要求的,导游领队应在进入时向旅游者说明
B.
在参观博物馆、教堂等室内场所时,导游领队应提示旅游者保持安静,不随意触摸展品
C.
导游领队应提醒旅游者摄影摄像时先后有序,不妨碍他人
D.
需拍摄他人肖像或与他人合影,应征得同意
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【简答题】按照《导游领队引导文明旅游规范》的规定，在旅游团游览过程中，导游领队正确的做法 有 （ ） 。A. 游览区域对旅游者着装有要求的，导游领队应在进入时向旅游者说明B. 在参观博物馆、教堂等室内场所时，导游领队应提示旅游者保持安静，不随意触摸展品C. 导游领队应提醒旅游者摄影摄像时先后有序，不妨碍他人D. 需拍摄他人肖像或与他人合影，应征得同意E. 将文明旅游的内容融合在讲解词中，进行提醒和告知
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【判断题】增强型FET不能采用自给偏置电路。(    )
A.
正确
B.
错误
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【单选题】下列症状中，与真热假寒证无关的（）
A.
胸腹灼热
B.
口臭息粗
C.
渴喜热饮
D.
渴喜热饮
E.
四肢厥冷
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【多选题】下列关于BJT和FET的描述正确的是（ ）。
A.
BJT 能用在高频环境， FET 不可以；
B.
BJT 为双极型器件， FET 为单极型器件；
C.
BJT 为流控器件， FET 为压控器件；
D.
BJT 和 FET 不可同时使用；
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【多选题】下面对FET混合π小信号模型描述正确的是（）。
A.
用于分析工作在饱和区的 FET 器件；
B.
用于分析 FET 器件对交流信号的响应；
C.
用于分析工作在任何工作区的 FET 器件；
D.
用于分析 FET 器件对直流信号的响应；
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【单选题】在温度特性方面,BJT与FET相比有:
A.
BJT与FET受温度影响都比较大
B.
BJT与FET受温度影响都比较小
C.
BJT受温度影响大，FET受温度影响很小
D.
BJT受温度影响很小，FET受温度影响大
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